缺陷的意思

　　晶体生长过程中，由于原来纯度、各组分配比、烧结方式、粉料颗粒度都不可能十分完美，晶体生长过程中，生长炉内的温度分布、各组成成分的浓度分布、熔体/溶液的流动方式、生长气氛、提拉转速与拉速等也都有所不同，不可能达到十分的完美，生长的晶体很可能会在局部出现周期性和对称性的破坏，也就是说，出现这样或那样的缺陷。缺陷的产生是很难避免的，有的时候，某些缺陷是晶体本身性质或者生长方法所不能避免的。 由于晶体生长的方法有很多种，根据晶体生长理论，在某些生长方法中，有时候缺陷的存在也是特定晶体生长方式的内在的生长驱动力。如果空间点阵结构学说考虑晶体是质点在三维空间的有序的无限周期性排列，那么，所谓的晶体缺陷，就是指各种偏离晶体结构的周期重复排列的现象，而导致这种对于周期性的偏离的原因就是产生缺陷的因素。如果从固体物理的角度看，缺陷产生的原因，也就是在于各种能够造成晶体的点阵结构的周期势场畸变的因素。　　晶体缺陷通常分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。　　晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。